Chercheur CNRS
Université Paris-Saclay

Biographie

Mes recherches portent sur le contrôle des propriétés électroniques par des modifications structurelles. Mes objets de prédilection sont les surfaces et d’autres systèmes bidimensionnels où les propriétés physiques peuvent être significativement affectées par de défauts, de transitions de phase ou le confinement quantique dans des nanostructures.

Interêts

  • Confinement quantique dans de nanostructures
  • Transitions de phase dans de systèmes à basse dimension
  • Couplage spin-orbite dans de surfaces et matériaux 2D

Formation

  • Docteur en Physique de la Matière Condensée, 2003 Université Autonome de Madrid, Espagne
  • Habilitation à Diriger des Recherches (HDR), 2011 Université de Lorraine, France

Photoémission dans les solides : concepts et applications

La photoémission est une technique spectroscopique qui permet d’étudier les propriétés physicochimiques des surfaces mais également leurs propriétés électroniques ; elle donne accès à la structure de bande des matériaux.

Ce livre introduit les concepts de base de la photoémission : photoémission des états de cœur et photoémission des états de valence et présente également de nombreux développements récents sur des thématiques actuelles. Deux niveaux de présentation sont abordés : un niveau élémentaire s’appuyant sur une approche mono-électronique pour comprendre qualitativement l’intérêt de cette spectroscopie et un niveau plus approfondi s’appuyant sur une approche à n corps et permettant d’avoir accès aux interactions à l’origine des propriétés électroniques de la matière condensée.

Cet ouvrage a été élaboré pour s’adresser à un public large, des étudiants de licence pour les aspects les plus élémentaires aux chercheurs spécialistes de la technique pour la présentation des concepts et les exemples d’applications.

Transport ballistique dans de nanorubans de graphène

La miniaturisation ultime des dispositifs électroniques est reliée aux problèmes de dissipation de chaleur. La chaleur peut être réduite de manière considérable avec le passage de la technologie du silicium à celle du carbone, comme c’était connu depuis les études sur les nanotubes de carbone, qui montraient un transport balistique. Des dispositifs sur les nanotubes sont faisables mais ceux-ci sont difficiles à placer à souhait. Le graphène est un matériau facilement structurable, mais le transport balistique devait y être démontré, car la plupart des rubans de graphène montraient une bande interdite de transport, incompatible avec un transport balistique. Les rubans de graphène dites « sidewall » n’ont pas de bande interdite de transport et ils possèdent la structure électronique idéale du graphène non dopé, comme est montré sur nos mesures de spectroscopie tunnel et de photoémission. Les mesures de transport effectuées à GeorgiaTech et à l’Université de Hannover y ont démontré le transport balistique exceptionnel jusqu’à 16 μm même à température ambiante, ce qui fait de ces rubans des candidats prometteurs pour des dispositifs intégrés ou pour des interconnexions à faible perte.

A gauche, structure électronique sur des rubans de graphène, obtenue par photoémission. A droite, mesures de transport en fonction de l’espacement des sondes pour différentes températures de recuit des rubans. Toutes les courbes convergent à h/e2. Figures de  J. Baringhaus et al., Nature 506, 349 (2014).

Exceptional ballistic transport in epitaxial graphene nanoribbons. J. Baringhaus, M. Ruan, F. Edler, A. Tejeda, M. Sicot, A. Taleb Ibrahimi, Z. Jiang, E. Conrad, C. Berger, C. Tegenkamp, W. A. de Heer. Nature 506, 349 (2014).

Fait marquant dans Nature Physics News & Views 10, 182 (2014).

Communiqué de presse du CNRS : http://www2.cnrs.fr/presse/communique/3419.htm.

Page de garde du rapport d’activités du CNRS 2013.

Transition métal-isolant en Sn/Ge(111)

Lors du dépôt de 1/3 de monocouche atomique de Sn sur Ge(111), il y a une reconstruction métallique à température ambiante. Cette reconstruction peut présenter des phénomènes de corrélation forte, car les bandes électroniques associées sont relativement étroites. Les électrons qui se trouvent sur un même atome ne pourront pas être considérés alors comme indépendants à cause de la répulsion électrostatique entre charges du même signe. Cette répulsion va rendre difficile le mouvement des électrons dans la surface. Ces effets de corrélation forte font que même si la théorie de bandes prédit le système comme métallique, il peut en réalité être un isolant, dénommé isolant de Mott. Nous avons vu des propriétés électroniques compatibles avec une telle transition sur Sn/Ge(111) en dessous 30 K.

Observation of a Mott insulating ground state for Sn/Ge(111) at low temperature R. Cortés, A. Tejeda, J. Lobo, C. Didiot, B. Kierren, D. Malterre, E.G. Michel, et A. Mascaraque. Physical Review Letters 96, 126103 (2006).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.126103

Fait marquant dans Nature News & Views 441, 295 (2006).

Observation de la dispersion idéale sur le graphène

Le graphène sur la face carbone du SiC a une température de croissance très différent de celle de la face Si. Par ailleurs, les couches de graphène sur la face C s’empilent avec des angles différents de 60°, l’angle caractéristique du graphite et de la face Si. Comme l’empilement est différent de celui du graphite, les propriétés électroniques du graphène idéal sont préservées, comme le prouvent nos mesures de photoémission. Les bandes sont linéaires pour les différentes couches empilées et le dopage de chaque couche est presque nul, le point de Dirac étant situé au niveau de Fermi.

Figure à gauche de M. Sprinkle et al., Phys. Rev. Lett. 103, 226803 (2009). Copyright 2009 American Physical Society.” http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.103.226803

Bande interdite de nanorubans de graphène

Nous avons étudié la topographie de la dernière couche de nanorubans de graphène et au-delà, en combinant la microscopie à effet tunnel et la microscopie électronique à transmission. Le corps principal des rubans est bordé par des régions où le substrat SiC présente des nanofacettes. Il est possible de faire croître une seule couche de graphène sur les nanofacettes ainsi que sur la facette principale. Nous avons observé par photoémission que les propriétés électroniques de la couche de graphène continue changent en fonction de la région. Les nanofacettes sont surmontés de nanorubans de graphène. Ces nanorubans sont attachés au substrat SiC sur leurs deux bords, dans une région semi-conductrice. Le graphène entre les parties attachées est découplé du substrat et présente une bande interdite de plus de 500 meV en raison du confinement électronique dans ces petits nanorubans de 1-2 nm de largeur.

Schéma et détails de la structure adaptés avec la permission de I. Palacio et al.Nano Lett. 15, 182 (2015). Copyright 2015 American Chemical Society. Photoemission de J. Hicks et al.Nature Phys 9, 49 (2012).

Confinement électronique en surfaces auto-organisées

La croissance de systèmes auto-organisés peut être utilisée pour modifier les propriétés électroniques du substrat. Ceci est possible car les états de surface sont localisés dans les dernières couches atomiques et sont sensibles aux modifications de ces couches. Il est possible ainsi de créer un réseau auto-organisé d’îlots qui induit une modification périodique du potentiel de surface, ce qui donne lieu à un réseau de boîtes quantiques périodiques. Des îlots de Co peuvent en effet être auto-organisés sur une surface Au à marches (vicinale). L’état de surface de l’Au est confiné par les îlots de Co et les marches de la surface. La périodicité du système permet d’utiliser la photoémission pour mesurer la structure de bande et obtenir le potentiel de surface.

A gauche, image de conductance différentielle d’îlots de Co auto-organisés sur un substrat d’Au à marches. L’intensité entre les quatre îles montre que l’état de surface y est confiné. A droite, simulation des mesures de photoémission afin de déterminer le potentiel de surface induit par les îlots de Co.

“Interacting quantum box superlattice by self-organized Co nanodots on Au(788)”. C. Didiot, A. Tejeda, Y. Fagot-Revurat, V. Repain, B. Kierren, S. Rousset, and D. Malterre, Phys. Rev. B 76, 081404(R) (2007).

Transition métal-isolant et ordre de charges dans Sn/Ge(111)

La recherche d’isolants de Mott bidimensionnels a commencé dans les années 1990 avec K/Si(111):B et SiC(0001). En 2006, nous avons découvert une transition métal-isolant pour 1/3 ML Sn sur Ge(111) sous 30 K. Nous avons interprété ces observations en termes de transition de Mott.

Dans Sn/Ge(111), la reconstruction métallique (3×3) qui apparaît autour de 200 K a été considérée comme l’état fondamental. Cependant, nos expériences complémentaires de diffraction d’électrons à basse énergie, de photoémission à résolution angulaire et de microscopie à effet tunnel nous ont permis de découvrir deux nouvelles phases. En dessous de 60 K, le système devient un mauvais métal tout en préservant la maille de surface (3×3). Il s’agit d’une phase isolante avec un ordre de charge. En dessous de 30 K, la maille de la surface change à (√3 x √3)R30°, où la distorsion verticale des atomes de Sn dans la phase (3×3) est perdue. Tous les atomes de Sn sont équivalents. La photoémission utilisant rayonnement synchrotron montre que la transition de phase structurelle, également observée dans les niveaux du coeur, est concomitante à une ouverture de la bande interdite. Ces observations expérimentales ont été interprétées en termes d’une phase isolante de Mott.

Transitions de phase dans Sn/Ge(111). Colonne de gauche, niveau de coeur Sn 4d pour trois températures caractéristiques de chaque phase. Colonne du milieu, images STM montrant l’ordre de charge dans la phase intermédiaire et l’équivalence de tous les atomes de Sn dans la phase de basse température. Colonne de droite, structure électronique montrant la mauvaise métallicité de la phase intermédiaire et le grande bande interdite de la phase de basse température. Figures de R. Cortés et al., Phys. Rev. B 88, 125113 (2013). Copyright 2013 American Physical Society.” http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.88.125113

D’autres références :

Observation of a Mott insulating ground state for Sn/Ge(111) at low temperature R. Cortés, A. Tejeda, J. Lobo, C. Didiot, B. Kierren, D. Malterre, E.G. Michel and A. Mascaraque. Physical Review Letters 96, 126103 (2006).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.126103

Fait marquant dans Nature News & Views 441, 295 (2006).

Transition dans Sn/Si(111):B par diffusion collective ultrarapide

L’interface Sn/Si(111) dopée au B est un bon candidat pour rechercher des isolants de Mott, car elle est hybride entre les interfaces Sn/Si(111) et K/Si:B, toutes les deux susceptibles de présenter des effets de corrélation électronique. Sur Sn/Si(111):B, nous avons trouvé une phase isolante à température ambiante qui présente une transition de phase réversible à 520 K, donnant lieu à une symétrie de surface différente. Cette transition de phase est expliquée par une fluctuation collective des atomes de surface de Sn à l’échelle de la picoseconde. Ces fluctuations correspondent à des tétramères de Sn explorant les 24 configurations dégénérées en énergie en fonction du temps.

Transition de phase dans Sn/Si(111):B. En haut, image STM montrant l’ordre de la surface Sn/Si(111):B à température ambiante. En bas, diagrammes de diffraction d’électrons à basse énergie montrant le changement de symétrie réversible à la surface autour de 520 K. Figure de W. Srour et al., Phys. Rev. Lett. 114, 196101 (2015). Copyright 2015 American Physical Society.” http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.196101

Diffusion collective d’atomes de Sn. Positions atomiques des atomes de surface calculées par dynamique moléculaire ab-initio. Film de W. Srour et al., Phys. Rev. Lett. 114, 196101 (2015). Copyright 2015 American Physical Society.” http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.196101

Photoémission inverse

La technique de photoémission inverse consiste à éclairer un échantillon avec des électrons de faible énergie pour prouver les états vides des matériaux. Lorsque les électrons atteignent un état vide relié par une transition autorisée à un état vide d’énergie plus basse, la relaxation électronique émet un photon fournissant des informations sur la transition électronique. Si l’énergie cinétique du faisceau d’électrons et son angle d’incidence sur l’échantillon sont connus, il est possible de déterminer les états électroniques vide du matériau. La photoémission inverse résolue en angle (ARIPES) permet donc de déterminer la bande de conduction du système étudié. Si le faisceau d’électrons a une orientation de spin bien définie, il est possible de déterminer la bande de conduction avec résolution en spin.

Principe de la photoémission inverse résolue en angle. Lorsque les électrons atteignent l’échantillon et se relaxent à l’intérieur du solide, des photons sont émis pour préserver la conservation de l’énergie. Si les électrons atteignent l’échantillon avec un angle bien défini, la conservation de l’énergie et la conservation du vecteur d’onde permettent déterminer les états vides du solide.

Photoémission directe

La photoémission est fondée sur l’effet photoélectrique, expliqué par Albert Einstein en 1905 et qui lui a valu le prix Nobel en 1921. Ce phénomène veut qu’un rayonnement suffisamment énergétique peut extraire des électrons qui se trouvent à l’intérieur du matériau illuminé. Lorsqu’on détecte l’énergie cinétique et l’angle d’émission de l’électron sortant, il est possible de connaître son état initial à l’intérieur du matériau. La photoémission permet donc de déterminer la structure de bandes du système étudié ou la composition chimique par analyse des niveaux de coeur du matériau.

Les sources de rayonnement en laboratoire conventionnel pour illuminer l’échantillon à étudier peuvent être soit des lampes de lumière ultraviolette, des lasers, des tubes de rayons cathodiques ou encore de synchrotrons comme la source française SOLEIL. Dans les synchrotrons des particules chargées sont stockées dans des anneaux afin d’utiliser leur rayonnement émis dans un large spectre de longueurs d’onde).

Principe de la photoémission résolue en angle. Des photons suffisamment énergétiques sont envoyés sur un échantillon, qui émet des électrons par effet photoélectrique. La conservation de l’énergie et du vecteur d’onde parallèle à la surface permettent de remonter à l’état initial de l’électron dans le solide.

Film sur le principe de la photoémission. Courtoisie de Julien Bobroff.

Microscopie à effet tunnel

Scanning tunneling microscopy is a technique able to explore the electronic states at surfaces, reaching in this way to some topographic information. The Nobel prize was awarded to Gerd Karl Binnig and Heinrich Rohrer in 1986 for the first realisation of this instrument, which was shared with Ernst Ruska for the electronic microscope. The technique consists of approaching a tip to the sample. A voltage bias is settled between tip and surface. If the tip is close enough to the surface but there is no contact, electrons can flow between tip and sample due to the electrons that travel through the potential barrier by quantum tunneling. Topographic images can be obtained by scanning the surface with the tip. It is possible to constrain the tip-sample current to be constant during this process. In this way, the vertical tip displacement reports on the topography of the surface.

La microscopie à effet tunnel est une technique basée sur l’approche d’une pointe sur l’échantillon et établir une tension de polarisation entre la pointe et la surface. Si la pointe est suffisamment proche de la surface mais qu’il n’y a pas de contact, un courant peut circuler entre la pointe et l’échantillon grâce aux électrons qui traversent la barrière de potentiel du vide par effet tunnel quantique. Des images topographiques peuvent être obtenues en balayant la surface avec la pointe ; il est possible de contraindre le courant pointe-échantillon à être constant pendant ce processus. De cette façon, le déplacement vertical de la pointe rend compte de la topographie de la surface.

Principe de la microscopie à effet tunnel. Une pointe balaie l’échantillon et une tension est établie entre l’échantillon et la pointe. Si la distance entre eux est suffisamment petite et sans contact, les électrons peuvent traverser la barrière de potentiel entre l’échantillon et la pointe par effet tunnel quantique. En enregistrant la variation de la hauteur de la pointe lors du balayage de la surface dans une région rectangulaire, on obtient l’image STM.

Film sur le principe de la microscopie à effet tunnel. Courtoisie de Julien Bobroff.

Diffraction de rayons X

La diffraction de rayons X est une technique d’analyse de la structure atomique basée sur l’interaction des rayons X avec la matière. Son développement a valu le prix Nobel à William Lawrence Bragg et à son père William Henri Bragg en 1915.

La diffraction est le résultat de l’interférence des rayons X après interaction avec un matériau dont les atomes sont disposés selon un agencement périodique. Les rayons X sont en effet réfléchis sur les différents plans cristallographiques du matériau. A cause de la différence de chemin que parcourent les rayons X pour atteindre les différents plans, les rayons X en sortie subissent des phénomènes d’interférence qui donnent lieu à des maxima et minima d’intensité. L’angle d’apparition des maxima ainsi que leur intensité contient l’information structurale du matériau. Des analyses précises de ces observables permettent donc de remonter à une information extrêmemment précieuse : les positions atomiques.

Principe de la diffracion de rayons X. L’interaction des rayons X avec un système périodique donne lieu à une redistribution de l’intensité des rayons X en sortie. L’analyse précise de cette intensité ainsi que sa distribution angulaire permet de remonter à la structure atomique du matériau illuminé.

Film sur la cristallographie et l’espace réciproque. Courtoisie de Julien Bobroff.

Spin- and angle-resolved inverse photoemission setup with spin orientation independent from electron incidence angle., A. F. Campos, P. Duret, S. Cabaret, T. Duden, and A. Tejeda

Soumis à Review of Scientific Instruments.

Renormalization of the valence and conduction bands of (C6H5C2H4NH3)2PbI4 hybrid perovskite. Min-I Lee, S. Ayaz Khan, H. Mrezguia, A. Barragan, M. N. Nair, H. Khelidj, Y. Ksari, L. Giovanelli, J.-M. Themlin, F. Lédée, G. Trippé-Allard, E. Deleporte, A. Taleb-Ibrahimi, J. Minar, Antonio Tejeda

Journal of Physics D: Applied Physics 54, 365301 (7p) (2021).

Edge states and ballistic transport in zigzag graphene ribbons: The role of SiC polytypes. A. L. Miettinen, M. S. Nevius, W. Ko, M. Kolmer, A. P. Li, M. N. Nair, B. Kierren, L. Moreau, E. H. Conrad, A. Tejeda,

Physical Review B 100, 045425 (8p) (2019).

Superlattice-induced minigaps in graphene band structure due to underlying one-dimensional nanostructuration. A. Celis, M. N. Nair, M. Sicot, F. Nicolas, S. Kubsky, D. Malterre, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Physical Review B 97, 195410 (6p) (2018).

Time resolved photoemission spectroscopy of electronic cooling and localization in CH3NH3PbI3. Z. Chen, Min-i Lee, Z. Zhang, H. Diab, D. Garrot, F. Lédée, P. Fertey, E. Papalazarou, M. Marsi, C. Ponseca, E. Deleporte, A. Tejeda, L. Perfetti,
Physical Review Materials 1, 045402 (6p) (2017).

First determination of the valence band dispersion of CH3NH3PbI3 hybrid organic–inorganic perovskite. M.-I Lee, A. Barragán, M.N. Nair, V.L.R. Jacques, D. Le Bolloc’h, P. Fertey, K. Jemli, F. Lédée, G. Trippé-Allard, E. Deleporte, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Journal of Physics D: Applied Physics 50, 26LT02 (10p) (2017).
Article invité.

Band gap opening induced by the structural periodicity on the graphene buffer layer. M.N. Nair, I. Palacio, A. Celis, A. Zobelli, A. Gloter, S. Kubsky, J.-P. Turmaud, M. Conrad, C. Berger, W.A. de Heer, E.H. Conrad, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Nano Letters. 17, 2681 (9p) (2017).

Semiconducting Graphene from Highly Ordered Substrate Interactions.
M.S. Nevius, M. Conrad, F. Wang, A. Celis, M.N. Nair, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda, and E.H. Conrad,
Physical Review Letters 115, 136802 (2015).
Commenté dans Physics 8, 91 (2015).

Ultrafast atomic diffusion inducing a reversible (2√3 × 2√3)R30◦ ↔ (√3 × √3)R30° transition on Sn/Si(111):B.
W. Srour, D.G. Trabada, J. I. Martínez, F. Flores, J. Ortega, M. Abuín, Y. Fagot-Revurat, B. Kierren, P. Le Fèvre, A. Taleb-Ibrahimi, D. Malterre, A. Tejeda.
Physical Review Letters 114, 196101 (2015).

Atomic Structure of Epitaxial Graphene Sidewall Nanoribbons: Flat Graphene, Miniribbons, and the Confinement Gap.
I. Palacio, A. Celis, M. N. Nair, A. Gloter, A. Zobelli, M. Sicot, D. Malterre, M. S. Nevius, C. Berger, W. A. de Heer, E. H. Conrad, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Nano Letters 15, 182 (2015).

Exceptional ballistic transport in epitaxial graphene nanoribbons.
J. Baringhaus, M. Ruan, F. Edler, A. Tejeda, M. Sicot, A. Taleb Ibrahimi, Z. Jiang, E. Conrad, C. Berger, C. Tegenkamp, W. A. de Heer.
Nature 506, 349 (2014).
Communiqué de presse CNRS: http://www2.cnrs.fr/presse/communique/3419.htm.
Page de garde du rapport d’activités du CNRS 2013.
Commenté dans Nature Physics News & Views 10, 182 (2014).

Hydrogen-induced nanotunnel opening within semiconductor sub-surface.
P. Soukiassian, E. Wimmer, E. Celasco, C. Giallombardo, S. Bonanni, L. Vattuone, L. Savio, A. Tejeda, M. Silly, M. D’angelo, F. Sirotti, M. Rocca.
Nature Communications 4, 2800 (2013).

A wide band gap metal-semiconductor-metal nanostructure made entirely from graphene.
J. Hicks, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, M.S. Nevius, F. Wang, K. Shepperd, J. Palmer, F. Bertran, P. Le Fèvre, J. Kunc, W.A. de Heer, C. Berger, et E.H. Conrad.
Nature Physics 9, 49 (2012).
Communiqué de presse CNRS: http://www2.cnrs.fr/presse/communique/2875.htm.

First direct observation of a nearly ideal graphene band structure.
M. Sprinkle, D. Siegel Y. Hu, J. Hicks, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, P. Le Fèvre, F. Bertran, S. Vizzini, H. Enriquez, S. Chiang, P. Soukiassian, C. Berger, W. A. de Heer, A. Lanzara, and E. H. Conrad.
Physical Review Letters 103, 226803 (2009).

Structural origin of the Sn 4d core level line shape in Sn/Ge(111)-(3×3).
A. Tejeda, R. Cortés, J. Lobo-Checa, C. Didiot, B. Kierren, , D. Malterre, E. G. Michel, A. Mascaraque.
Physical Review Letters 100, 026103 (2008).

Observation of a Mott insulating ground state for Sn/Ge(111) at low temperature. R. Cortés, A. Tejeda, J. Lobo, C. Didiot, B. Kierren, D. Malterre, E.G. Michel, et A. Mascaraque.
Physical Review Letters 96, 126103 (2006).
Page de garde de son numéro.
Commenté en Nature News & Views 441, 295 (2006).

Uniform Magnetic Properties for an Ultrahigh-Density Lattice of Noninteracting Co Nanostructures.
N. Weiss, T. Cren, M. Epple, S. Rusponi, G. Baudot, S. Rohart, A. Tejeda, V. Repain, S. Rousset, P. Ohresser, F. Scheurer, P. Bencok, H. Brune
Physical Review Letters 95, 157204 (2005).

*First determination of the valence band dispersion of CH3NH3PbI3 hybrid organic–inorganic perovskite. M.-I Lee, A. Barragán, M.N. Nair, V.L.R. Jacques, D. Le Bolloc’h, P. Fertey, K. Jemli, F. Lédée, G. Trippé-Allard, E. Deleporte, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Journal of Physics D: Applied Physics 50, 26LT02 (10p) (2017).

Graphene nanoribbons: fabrication, properties and devices.
A Celis, M N Nair, A Taleb-Ibrahimi, E H Conrad, C Berger, W A de Heer, A Tejeda.
Journal of Physics D: Applied Physics 49, 143001 (2016).

Understanding the Insulating Ground State Properties of Alkali-Metal/Si(111):B Interfaces.
Y. Fagot-Revurat, C. Tournier-Colletta, L. Chaput, A. Tejeda, L. Cardenas, B. Kierren, D. Malterre, P. Le Fèvre, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi.
Journal of Physics: Condensed Matter 25, 094004 (2013).

Electron correlation and many-body effects at interfaces on semiconducting substrates.
A. Tejeda, Y. Fagot-Révurat, R. Cortés, D. Malterre, E. G. Michel, A. Mascaraque.
physica status solidi (a) 209, 614 (2012).
Page de garde arrière de son numéro.

Electronic properties of epitaxial graphene grown on the C-face of SiC and their relation to the structure.
A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, C. Berger, E.H. Conrad, W. de Heer.
New Journal of Physics 14, 125007 (2012).

ARPES and STS investigation of Shockley States in thin metallic films and periodic nanostructures.
D. Malterre, B. Kierren, Y. Fagot-Revurat, S. Pons, A. Tejeda, C. Didiot, H. Cercellier, A. Bendounan.
New Journal of Physics 9, 391 (2007).

The Fermi surface of Sn and Pb on Ge(111).
A. Tejeda, R. Cortés, J. Lobo, E.G. Michel, A. Mascaraque.
Journal of Physics : Condensed Matter 19, 355008 (2007).

The photoelectron diffraction technique applied to advanced materials.
A. Tejeda et E.G. Michel.
Journal of Physics: Condensed Matter 16, 3441 (2004).

A primer in photoemission: concepts and applications,

A. Tejeda and D. Malterre,

EDP Sciences, Les Ulis 2019

Graphene nanoribbons : fundamentals, fabrication and devices,

edited by L.Brey, P.Seneor and A.Tejeda

IOP, Bristol 2020.

Photoémission dans les solides : concepts et applications,

A. Tejeda and D. Malterre,

EDP Sciences, Les Ulis 2015

Les propriétés du graphène sur un millefeuille.
A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi et C. Berger.
Reflets de la physique 34-35, 84 (2013).

Les isolants de Mott, des conducteurs bloqués.
A. Tejeda et A. Mascaraque.
Pour la science (février 2012).

Isolant ou métal ?.
A. Tejeda et A. Mascaraque.
Investigacion y Ciencia (mars 2011).

83. Spin- and angle-resolved inverse photoemission setup with spin orientation independent from electron incidence angle., A. F. Campos, P. Duret, S. Cabaret, T. Duden, A. Tejeda (soumis à Review of Scientific Instruments).

82. Photoemission image of momentum dependent hybridization in CeCoIn5. R. Kurleto, M. Fidrysiak, L. Nicolaï, J. Minár, M. Rosmusa, L. Walczak, A. Tejeda, J.E. Rault, F. Bertran, A.P. Kadzielawa, D. Legut, D. Gnida, D. Kaczorowski, K. Kissner, F. Reinert, J. Spałek, P. Starowicz, Physical Review B 104, 125104 (14p) (2021).

81. Substrate effect on the electronic properties of graphene on vicinal Pt(111). M. N. Nair, A. Celis,  F. Nicolas, S. Kubsky, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda. Applied Surface Science 565, 150593 (7p) (2021).

80. Renormalization of the valence and conduction bands of (C6H5C2H4NH3)2PbI4 hybrid perovskite. Min-I Lee, S. Ayaz Khan, H. Mrezguia, A. Barragan, M. N. Nair, H. Khelidj, Y. Ksari, L. Giovanelli, J.-M. Themlin, F. Lédée, G. Trippé-Allard, E. Deleporte, A. Taleb-Ibrahimi, J. Minar, Antonio Tejeda Journal of Physics D: Applied Physics 54, 365301 (7p) (2021).

79. Doping Graphene with Substitutional Mn, P.-C. Lin, R. Villarreal, S. Achilli, H. Bana, M. N. Nair, A. Tejeda, K. Verguts, S. De Gendt, M. Auge, H. Hofsass, S. De Feyter, G. Di Santo, L. Petaccia, S. Brems, G. Fratesi, L. M. C. Pereira, ACS Nano 15, 5449 (10p) (2021)

78. Growth, morphology and electronic properties of epitaxial graphene on vicinal Ir(332) surface. A Celis, M.N. Nair, M Sicot, F Nicolas, S Kubsky, A Taleb-Ibrahimi, D Malterre, A Tejeda. Nanotechnology 31, 285601 (8p) (2020).

77. Hybrid Perovskites for Photovoltaics and Optoelectronics. A. Tejeda, W.C.H. Choy, E. Deleporte, M. Grätzel. Journal of Physics D: Applied Physics 53, 070201 (2p) (2020).

Préface pour le numéro spécial “Hybrid Perovskites for Photovoltaics and Optoelectronics ”.

76. Edge states and ballistic transport in zigzag graphene ribbons: The role of SiC polytypes. A. L. Miettinen, M. S. Nevius, W. Ko, M. Kolmer, A. P. Li, M. N. Nair, B. Kierren, L. Moreau, E. H. Conrad, A. Tejeda, Physical Review B 100, 045425 (8p) (2019).

75. A new long-range sub-structure found in the tetragonal phase of CH3NH3PbI3 single crystals. V.L.R. Jacques, A. Frantz-Gallo, A.Tejeda, D. Le Bolloc’h, F. Lédée, G. Trippé-Allard, D. Garrot, P. Fertey, E. Deleporte, O. Plantevin. Journal of Physics D: Applied Physics (10p) 52, 314001 (2019).

74. Effective determination of surface potential landscapes from metal-organic nanoporous network overlayers. I. Piquero-Zulaica, Z. Abd El-Fattah, O. Popova, S. Kawai, S. Nowakowska, M. Matena, M. Enache, M. Stöhr, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, E. Meyer, J. Ortega, L. Gade, T. Jung, J. Lobo-Checa. New Journal of Physics (9p) 21, 053004 (2019).

73. Defect State Analysis in Ion-Irradiated Amorphous-Silicon Heterojunctions by HAXPES. M-I Lee, A. Defresne, O. Plantevin, D. Ceolin, J.-P. Rueff, P. Roca i Cabarrocas, A. Tejeda. physica status solidi Rapid Research Letters 1800655 (5p) (2019).

72. Superlattice-induced minigaps in graphene band structure due to underlying one-dimensional nanostructuration. A. Celis, M. N. Nair, M. Sicot, F. Nicolas, S. Kubsky, D. Malterre, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Physical Review B 97, 195410 (6p) (2018).

71. Time resolved photoemission spectroscopy of electronic cooling and localization in CH3NH3PbI3. Z. Chen, Min-i Lee, Z. Zhang, H. Diab, D. Garrot, F. Lédée, P. Fertey, E. Papalazarou, M. Marsi, C. Ponseca, E. Deleporte, A. Tejeda, L. Perfetti,
Physical Review Materials 1, 045402 (6p) (2017).

70. Do 2D materials stack in a van der Waals fashion?». A. Tejeda,
Journal of Physics D: Applied Physics 50, 351001 (2p) (2017).
Présentation de l’article Di Felice D et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 50, 17LT02 (2017)

69. First determination of the valence band dispersion of CH3NH3PbI3 hybrid organic–inorganic perovskite. M.-I Lee, A. Barragán, M.N. Nair, V.L.R. Jacques, D. Le Bolloc’h, P. Fertey, K. Jemli, F. Lédée, G. Trippé-Allard, E. Deleporte, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Journal of Physics D: Applied Physics 50, 26LT02 (10p) (2017).
Article invité.

68. Band gap opening induced by the structural periodicity on the graphene buffer layer. M.N. Nair, I. Palacio, A. Celis, A. Zobelli, A. Gloter, S. Kubsky, J.-P. Turmaud, M. Conrad, C. Berger, W.A. de Heer, E.H. Conrad, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Nano Letters. 17, 2681 (9p) (2017).

67. Wide band gap semiconductor from a hidden 2D incommensurate graphene phase. M. Conrad, F. Wang, M.S. Nevius, K. Jinkins, A. Celis, M.N. Nair, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda, Y. Garreau, A. Vlad, A. Coati, P.F. Miceli, E.H. Conrad.
Nano Letters. 17, 341 (2017).

66. Narrow Linewidth Excitonic Emission in Organic–Inorganic Lead Iodide Perovskite Single Crystals. H. Diab, G. Trippé-Allard, F. Lédée, K. Jemli, C. Vilar, G. Bouchez, V.L.R. Jacques, A. Tejeda, J. Even, J.-S. Lauret, E. Deleporte, D. Garrot,
Journal of Physical Chemistry Letters 7, 5093 (2016).

65. Graphene nanoribbons: fabrication, properties and devices.
A. Celis, M. N. Nair, A. Taleb-Ibrahimi, E. H. Conrad, C. Berger, W. A. de Heer, A. Tejeda.
Journal of Physics D: Applied Physics 49, 143001 (2016).
Article invité.

64. Uncertainty principle for experimental measurements: Fast versus slow probes.
E. Wimmer, E. Celasco, L. Vattuone, L. Savio, A. Tejeda, M. Silly, M. D’angelo, F. Sirotti, M. Rocca, A. Catellani, G. Galli, L. Douillard, F. Semond, V.Yu. Aristov, P. Soukiassian.
Surface Science Letters 644, L170 (2016).

63. Comment on “Adsorption of hydrogen and hydrocarbon molecules on SiC(001)” by Pollmann et al. (Surf. Sci. Rep. 69 (2014) 55–104).
E. Wimmer, E. Celasco, L. Vattuone, L. Savio, A. Tejeda, M. Silly, M. D’angelo, F. Sirotti, M. Rocca, A. Catellani, G. Galli, L. Douillard, F. Semond, V.Yu. Aristov, P. Soukiassian.
Surface Science Letters 644, L170 (2016).

62. Semiconducting Graphene from Highly Ordered Substrate Interactions.
M.S. Nevius, M. Conrad, F. Wang, A. Celis, M.N. Nair, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda, and E.H. Conrad,
Physical Review Letters 115, 136802 (2015).
Commenté dans Physics 8, 91 (2015).

61. Charge transfer and electronic doping in nitrogen-doped graphene.
F. Joucken, Y. Tison, P. Le Fèvre, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, E. Conrad, V. Repain, C. Chacon, A. Bellec, Y. Girard, S. Rousset, J. Ghijsen, R. Sporken, J. Lagoute.
Scientific Reports 5, 14564 (2015).

60. Fermi surface symmetry and evolution of the electronic structure across the paramagnetic-helimagnetic transition in MnSi/Si(111).
A. Nicolaou, M. Gatti, E. Magnano, P. Le Fèvre, F. Bondino, F. Bertrand, A. Tejeda, M. Sauvage-Simkin, A. Vlad, Y. Garreau, A. Coati, N. Guérin, F. Parmigiani, A. Taleb-Ibrahimi.
Physical Review B 92, 081110(R) (2015).

59. Ultrafast atomic diffusion inducing a reversible (2√3 × 2√3)R30◦ ↔ (√3 × √3)R30° transition on Sn/Si(111):B.
W. Srour, D.G. Trabada, J. I. Martínez, F. Flores, J. Ortega, M. Abuín, Y. Fagot-Revurat, B. Kierren, P. Le Fèvre, A. Taleb-Ibrahimi, D. Malterre, A. Tejeda.
Physical Review Letters 114, 196101 (2015).

58. Atomic Structure of Epitaxial Graphene Sidewall Nanoribbons: Flat Graphene, Miniribbons, and the Confinement Gap.
I. Palacio, A. Celis, M. N. Nair, A. Gloter, A. Zobelli, M. Sicot, D. Malterre, M. S. Nevius, C. Berger, W. A. de Heer, E. H. Conrad, A. Taleb-Ibrahimi, A. Tejeda.
Nano Letters 15, 182 (2015).

57. Atomic and electronic structure of the (2√3×2√3)R30° strained Sn reconstruction on Ge/Si(111).
W. Srour, A. Tejeda, M. Stoffel, M. Abuín, Y. Fagot-Revurat, P. Le Fèvre, A. Taleb-Ibrahimi, D. Malterre.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 195, 174 (2014).

56. Walking peptide on Au(110) surface: Origin and nature of interfacial process.
V. Humblot, A. Tejeda, J. Landoulsi, A. Vallée, A. Naitabdi, A. Taleb, C.M. Pradier.
Surface Science 628, 21 (2014).

55. Exceptional ballistic transport in epitaxial graphene nanoribbons.
J. Baringhaus, M. Ruan, F. Edler, A. Tejeda, M. Sicot, A. Taleb Ibrahimi, Z. Jiang, E. Conrad, C. Berger, C. Tegenkamp, W. A. de Heer.
Nature 506, 349 (2014).
Communiqué de presse CNRS: http://www2.cnrs.fr/presse/communique/3419.htm.
Page de garde du rapport d’activités du CNRS 2013.
Commenté dans Nature Physics News & Views 10, 182 (2014).

54. Graphene: from functionalization to devices.
A. Tejeda et P. Soukiassian.
Journal of Physics D: Applied Physics 47, 090201 (2014).
Préface pour le numéro spécial “Graphene : from funcionalization to devices”.

53. Hydrogen-induced nanotunnel opening within semiconductor sub-surface.
P. Soukiassian, E. Wimmer, E. Celasco, C. Giallombardo, S. Bonanni, L. Vattuone, L. Savio, A. Tejeda, M. Silly, M. D’angelo, F. Sirotti, M. Rocca.
Nature Communications 4, 2800 (2013).

52. Wide-gap Semiconducting Graphene from Nitrogen-seeded SiC.
F. Wang, G. Liu, S. Rothwell, M. Nevius, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, L. Feldman, P. Cohen, E. Conrad.
Nano Letters 13, 4827 (2013).

51. Competing charge ordering and Mott phases in a correlated Sn/Ge(111) two-dimensional triangular lattice.
R. Cortés, A. Tejeda, J. Lobo-Checa, C. Didiot, B. Kierren, D. Malterre, J. Merino, F. Flores, E. G. Michel, A. Mascaraque.
Physical Review B 88, 125113 (2013).

50. The dimensionality reduction at surfaces as a playground for many-body and correlation effects.
A. Tejeda, E.G. Mascaraque, E.G. Michel.
Journal of Physics: Condensed Matter 25, 090301 (2013).
Préface pour la section spéciale “Correlation and many-body effects at surfaces”.

49. Understanding the Insulating Ground State Properties of Alkali-Metal/Si(111):B Interfaces.
Y. Fagot-Revurat, C. Tournier-Colletta, L. Chaput, A. Tejeda, L. Cardenas, B. Kierren, D. Malterre, P. Le Fèvre, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi.
Journal of Physics: Condensed Matter 25, 094004 (2013).
Article invité.

48. The (2√3×2√3)R30˚ surface reconstruction of alkali/Si(111):B semiconducting surfaces.
C. Tournier-Colletta, L. Chaput, A. Tejeda, L.A. Cardenas, B. Kierren, D. Malterre, Y. Fagot-Révurat.
Applied Surface Science 267, 35 (2013).

47. A wide band gap metal-semiconductor-metal nanostructure made entirely from graphene.
J. Hicks, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, M.S. Nevius, F. Wang, K. Shepperd, J. Palmer, F. Bertran, P. Le Fèvre, J. Kunc, W.A. de Heer, C. Berger, et E.H. Conrad.
Nature Physics 9, 49 (2012).
Communiqué de presse CNRS: http://www2.cnrs.fr/presse/communique/2875.htm.

46. Electron-phonon coupling on strained Ge/Si(111)-(5×5) surfaces.
M. Stoffel, Y. Fagot-Révurat, A. Tejeda, A. Nicolaou, B. Kierren, D. Malterre, P. Le Fèvre, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi.
Physical Review B 86, 195438 (2012).

45. Surface electronic structure of InSb(001)-c(8×2).
L. Walczak, G. Goryl, M.A. Valbuena, I. Vobornik, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, J.J. Kolodziej, M.A. Valbuena, P. Segovia, E.G. Michel.
Surface Science 608, 22 (2012).

44. Experimental correlation between photoemission matrix elements and LEED intensities in superperiodic structures.
W. Srour, A. Tejeda, A. Nicolaou, P. Le Fèvre, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi, D. Malterre.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 185, 441 (2012).

43. Spin polarized electron tunneling in bcc FeCo/MgO/FeCo(001) magnetic tunnel junctions.
F. Bonell, T. Hauet, S. Andrieu, F. Bertran, P. Le Fèvre, L. Calmels, A. Tejeda, F. Montaigne, B. Warot-Fonrose, B. Belhadji, A. Nicolaou, A. Taleb-Ibrahimi,
Physical Review Letters 108, 176602 (2012).

42. Electron correlation and many-body effects at interfaces on semiconducting substrates.
A. Tejeda, Y. Fagot-Révurat, R. Cortés, D. Malterre, E. G. Michel, A. Mascaraque. physica status solidi (a) 209, 614 (2012).
Article invité. Page de garde arrière de son numéro.

41. High van Hove singularity extension and Fermi velocity increase in epitaxial graphene functionalized by intercalated gold clusters.
M. Nair, M. Cranney, F. Vonau, D. Aubel, P. Le Fèvre, A. Tejeda, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi, L. Simon.
Physical Review B 85, 245421 (2012).

40. Silicon intercalation into the graphene-SiC interface.
F. Wang, K. Shepperd, J. Hicks, M. Nevius, H. Tinkey, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, F. Bertran, P. Le Fèvre, D. Torrance, P. First, W. de Heer, A. Zakharov, E. Conrad.
Physical Review B 85, 165449 (2012).

39. Electronic properties of epitaxial graphene grown on the C-face of SiC and their relation to the structure.
A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, C. Berger, E.H. Conrad, W. de Heer.
New Journal of Physics 14, 125007 (2012).
Article invité.

38. Giant alkali-metal-induced lattice relaxation as the driving force of the insulating phase of alkali/Si(111):B.
L. Chaput, C. Tournier-Colletta, L.A. Cardenas, A. Tejeda, B. Kierren, D. Malterre, Y. Fagot-Révurat, P. Le Fèvre, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi, D. González, J. Ortega, F. Flores.
Physical Review Letters 107, 187603 (2011).

37. Absolute coverage determination in the K/Si(111):B – (2√3×2√3)R30˚ surface.
C. Tournier-Colletta, L. Cardenas, Y. Fagot-Révurat , B. Kierren, A. Tejeda, D. Malterre.
Physical Review B 84, 155443 (2011).

36. Symmetry breaking in commensurate graphene rotational stacking: Comparison of theory and experiment.
J. Hicks, M. Sprinkle, K. Shepperd, F. Wang, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, F. Bertran, P. Le Fèvre, W. A. de Heer, C. Berger, E. H. Conrad.
Physical Review B 83, 205403 (2011).
Editors’ suggestion.

35. Bipolaronic insulator on alkali/Si(111) – (2√3 × 2√3) R30˚ interfaces.
C. Tournier-Colletta, Cardenas, Y. Fagot-Revurat, B. Kierren, A. Tejeda, D. Malterre, P. Le Fèvre, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi.
Physical Review B 82, 165429 (2010).

34. Structure of the indium-rich InSb(001) surface.
G. Goryl, D. Toton, N. Tomaszewska, J.S. Prauzner-Bechcicki L. Walczak, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, L. Kantorovich, E.G. Michel, J.J. Kolodziej.
Physical Review B 82, 165311 (2010).

33. Multilayer epitaxial graphene grown on the SiC (000-1) surface; structure and electronic properties.
M. Sprinkle, J. Hicks, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, P. Le Fèvre, F. Bertran, H. Tinkey, M.C. Clark, P. Soukiassian, D. Martinotti, J. Hass, E.H. Conrad.
Journal of Physics D 43, 374006 (2010).

32. New electronic orderings observed in cobaltates under the influence of misfit periodicities.
A. Nicolau, V. Brouet, M. Zacchigna, I. Vobornik, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, P. Le Fèvre, F. Bertran, C. Chambon, S. Hébert, H. Muguerra, D. Grebille.
Europhysics Letters 89, 37010 (2010).

31. Experimental study of the incoherent spectral weight in the photoemission spectra of the misfit cobaltate [Bi2Ba2O4][CoO2]2.
A. Nicolaou, V. Brouet, M. Zacchigna, I. Vobornik, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, P. Le Fèvre, F. Bertran, S. Hébert, H. Muguerra, D. Grebille.
Physical Review Letters 104, 056403 (2010).

30. First direct observation of a nearly ideal graphene band structure.
M. Sprinkle, D. Siegel Y. Hu, J. Hicks, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, P. Le Fèvre, F. Bertran, S. Vizzini, H. Enriquez, S. Chiang, P. Soukiassian, C. Berger, W. A. de Heer, A. Lanzara, and E. H. Conrad.
Physical Review Letters 103, 226803 (2009).

29. Spin Reorientation Transition and Magnetic Domain Structure of the Co Ultra-thin Films Grown on Faceted Au(455) Surface.
J. Gao, Y. Girard, V. Repain, A. Tejeda, R. Belkhou, N. Rougemaille, C. Chacon, G. Rodary, S. Rousset.
Physical Review B 77, 134429 (2008).

28. Structural origin of the Sn 4d core level line shape in Sn/Ge(111)-(3×3).
A. Tejeda, R. Cortés, J. Lobo-Checa, C. Didiot, B. Kierren, , D. Malterre, E. G. Michel, A. Mascaraque.
Physical Review Letters 100, 026103 (2008).

27. Growth of iron on gold vicinal surface: from nanodots to step flow.
S. Rohart, Y. Girard, Y. Nahas, V. Repain, G. Rodary, A. Tejeda, S. Rousset.
Surface Science 602, 28 (2008).

26. Interaction of Atomic Hydrogen with the β-SiC(100) 3×2 Surface and Sub-Surface.
M. D’angelo, H. Enriquez, N. Rodriguez, V.Yu. Aristov, P. Soukiassian, A. Tejeda, E.G. Michel.
Journal of Chemical Physics 127, 164716 (2007).

25. ARPES and STS investigation of Shockley States in thin metallic films and periodic nanostructures.
D. Malterre, B. Kierren, Y. Fagot-Revurat, S. Pons, A. Tejeda, C. Didiot, H. Cercellier, A. Bendounan.
New Journal of Physics 9, 391 (2007).
Article invité.

24. Direct observation of strong correlations near the band insulator regime of Bi misfit cobaltates.
V. Brouet, A. Nicolaou, M. Zacchigna, A. Tejeda, L. Patthey, S. Hébert, W. Kobayashi, H. Muguerra, D. Grebille.
Physical Review B 76, 100403(R) (2007).

23. Interacting quantum box superlattice by self-organised Co nanodots on Au(788).
C. Didiot, A. Tejeda, Y. Fagot-Revurat, V. Repain, B. Kierren, S. Rousset, D. Malterre.
Physical Review B 76, 081404(R) (2007).
Selectionné pour le Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology vol. 16, issue 10.

22. The Fermi surface of Sn and Pb on Ge(111).
A. Tejeda, R. Cortés, J. Lobo, E.G. Michel, A. Mascaraque.
Journal of Physics : Condensed Matter 19, 355008 (2007).
Article invité.

21. Influence of grain boundaries on the magnetization reorientation transition in ultrathin films.
G. Rodary, V. Repain, R. L. Stamps, Y. Girard, S. Rohart, A. Tejeda, S. Rousset.
Physical Review B 75, 184415 (2007).

20. Atomic structure determination of the 3C-SiC(001) c(4×2) surface reconstruction: Experiment and theory.
A. Tejeda, E. Wimmer, P. Soukiassian, E. Rotenberg, J.D. Denlinger, E.G. Michel.
Physical Review B 75, 195315 (2007).

19. Orbital origin and matrix element effects in the Ag/Si(111)-(√3x√3)R30º Fermi surface.
V. Pérez-Dieste, J.F. Sanchez-Royo, J. Avila, M. Izquierdo, L. Roca, A. Tejeda, M.C. Asensio.
Surface Science 601, 742 (2007).

18. Electronic properties of (Co, Ag) self-organised nanodots on Au(111) vicinal surfaces.
C. Didiot, Y. Fagot-Révurat, S. Pons, B. Kierren, D. Malterre, A. Tejeda, S. Rousset.
Applied Surface Science 254, 45 (2007).

17. Observation of a Mott insulating ground state for Sn/Ge(111) at low temperature. R. Cortés, A. Tejeda, J. Lobo, C. Didiot, B. Kierren, D. Malterre, E.G. Michel, et A. Mascaraque.
Physical Review Letters 96, 126103 (2006).
Page de garde de son numéro.
Commenté en Nature News & Views 441, 295 (2006).

16. Distribution of the magnetic anisotropy energy of an array of self-ordered Co nanodots deposited on vicinal Au(111): X-ray magnetic circular dichroism measurements and theory.S. Rohart, V. Repain, A. Tejeda, P. Ohresser, F. Scheurer, P. Bencok, J. Ferré, S. Rousset.
Physical Review B 73, 165412 (2006).
Selectionné pour le Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology vol. 13, issue 17.

15. Building uniform and long-range ordered nanostructures on a surface by nucleation on a point defect array.
V. Repain, S. Rohart, Y. Girard, A. Tejeda, S. Rousset.
Journal of Physics: Condensed Matter 18, S17 (2006).

14. The (3×2) 3C-SiC(001) surface reconstruction investigated by photoelectron diffraction in the backscattering regime.
E.G. Michel, D. Dunham, A. Tejeda, P. Soukiassian, E. Rotenberg, J.D. Denlinger. Journal de Physique IV 132, 49 (2006).

13. Uniform Magnetic Properties for an Ultrahigh-Density Lattice of Noninteracting Co Nanostructures.
N. Weiss, T. Cren, M. Epple, S. Rusponi, G. Baudot, S. Rohart, A. Tejeda, V. Repain, S. Rousset, P. Ohresser, F. Scheurer, P. Bencok, H. Brune.
Physical Review Letters 95, 157204 (2005).

12. Fermi surface gapping and nesting in the surface phase transition of Sn/Cu(100).
J. Martínez-Blanco, V. Joco, H. Ascolani, A. Tejeda, C. Quirós, G. Panaccione, T. Balasubramanian, P. Segovia, E.G. Michel.
Physical Review B 72, R041401 (2005)

11. Periodic magnetic anisotropy in ultrathin ferromagnetic films on faceted surfaces.
A. Tejeda, G. Baudot, V. Repain, S. Rousset, J. Ferré, J.P. Jamet, A. Thiaville, L. Barbier
Europhysics Letters 71, 117 (2005).

10. Photoelectron diffraction study of the Si-rich 3C-SiC(001)-(3×2) structure.
A. Tejeda, D. Dunham, F.J. García de Abajo, J.D. Denlinger, E. Rotenberg, E.G. Michel, P. Soukiassian.
Physical Review B 70, 045317 (2004).

9. The photoelectron diffraction technique applied to advanced materials.
A. Tejeda et E.G. Michel.
Journal of Physics: Condensed Matter 16, 3441 (2004).

8. Electronic structure of the Sn /Si(111)-(√3x√3)R30° as a function of Sn coverage.
J. Lobo, A. Tejeda, A. Mugarza, E.G. Michel.
Physical Review B 68, 235332 (2003).

7. Emergence of multiple Fermi surface maps in angle-resolved photoemission from Bi2Sr2CaCu2O8+delta.
M.C. Asensio, J. Ávila, L. Roca, A. Tejeda, G.D. Gu, M. Lindroos, R.S. Markiewicz, A. Bansil.
Physical Review B 67, 014519 (2003).

6. Matrix element effects on the Fermi surface mapping by angle resolved photoemission from Bi2 Sr2 Ca Cu2 O8+δ superconductors.
L. Roca, M. Izquierdo, A. Tejeda, G.D. Gu, J. Ávila, M.C. Asensio.
Applied Surface Science 212, 62 (2003).

5. Electronic structure of Six Sn1-x /Si(111)- (√3x√3)R30º phases.
J. Lobo, A. Tejeda, A. Mugarza, E.G. Michel.
Journal of Vacuum Science and Technology A 21, 1298 (2003).

4. Atomic structure of 3C-SiC(001)-(3×2): a photoelectron diffraction study.
A. Tejeda, E.G. Michel, D. Dunham, P. Soukiassian, J.D. Denlinger, E. Rotenberg, Z.D. Hurych, B. Tonner.
Materials Science Forum 433, 579 (2003).

3. First principles simulations of energy and polarization dependent angle-resolved photoemission spectra of Bi2212.
A. Bansil, M. Lindroos, S. Sahrakorpi, R. S. Markiewicz, G. D. Gu, J. Ávila, L. Roca, A. Tejeda, M. C. Asensio.
Journal of Physics and Chemistry of Solids 63, 2175 (2002).

2. Photorefractive behavior of alpha-phase proton-exchanged LiNbO3 waveguides.
A. Méndez, A. Tejeda, J. Rams, M. Carrascosa, A. García-Cabañes, J.M. Cabrera.
Trends in Optics and Photonics 27, 127 (1999).

1. Refractive indices of rutile as a function of temperature and wavelength.
J. Rams, A. Tejeda, J.M. Cabrera.
Journal of Applied Physics 82, 994 (1997).

Le dispositif d’ultravide est composé de deux chambres connectées, la chambre d’analyse et la chambre de préparation.

La chambre d’analyse permet effectuer :

Photoémission inverse résolue en vecteur d’onde et résolue en spin avec la possibilité d’orienter le spin dans une direction arbitraire.

Photoémission (prochainement).

  • Regulation de la température jusqu’à 10 K.

La chambre de préparation permet effectuer :

  • Diffraction d’électrons lents (LEED) / spectroscopie Auger
  • Exfoliation d’échantillons
  • Bombardement ionique
  • Recuit à 1000°C et refroidissement à l’azote liquide
  • Evaporation et exposition à des gaz

Formation

2011Habilitation à Diriger des Recherches de l’Université de Lorraine. 
Étude de la structure et d’états électroniques exotiques dans de systèmes à basse dimension :
Sn/Ge(111), K/Si(111) et graphene
2003Docteur en Sciences Physiques par l’Université Autonome de Madrid.
Structure de surface du carbure de silicium cubique par diffraction de photoélectrons

Postes et affectations

2018Directeur de recherches au CNRS, Laboratoire de Physique des Solides
2014Laboratoire de Physique des Solides
2008Institut Jean Lamour
2004Chargé de recherches au CNRS, Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques
2004Post-doc Marie Curie, Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques

Quelques responsabilités

  • Directeur adjoint de la Fédération de Recherche Spectroscopies de Photoéléctrons (2021- aujourd’hui).
  • Membre du Comité Éditorial de J. Phys. D : Appl. Phys. (2017-2020). Responsable de la section de Surfaces et Interfaces (2018-2020).
  • Membre élu du Conseil National des Universités, section 28 (2011-2015 et 2015-2018).
  • Membre élu de la Commission Consultative de Spécialistes de l’Université (Paris Sud), sections 28 et 30 (2014-2018).
  • President du Comité d’Utilisateurs du synchrotron SOLEIL (2015-2017).
  • President de International Advisory Committee of International Symposium on Graphene Devices (2014 – 2015).

Manifestations scientifiques organisées

Expérience éditorial

Étudiants de thèse :

Etudiants de master :

  • Nicolas ESCOUBET (M1, 2018). “Étude des états vides d’un métal noble par VLEED”.
  • Haoran WANGLAN (M2, 2017). “Structural and electronic studies of CdSe nanoplatelets for photovoltaic applications”.
  • Isabel GONZÁLEZ VALLEJO (M2, 2016). “Structural and electronic studies of CdSe nanoplatelets for photovoltaic applications”.
  • Ana BARRAGÁN (M2, 2015). “Study of MAPI hybrid perovskites : atomic structure and electronic properties”.
  • Ana BARRAGÁN (M1, 2014). “Structure atomique et électronique du TiO2”.
  • Arlensiú CELIS (M2, 2013). “Electronic and atomic structure of graphene nanoribbons”.

Post-docs :

  • Lipin CHEN (2021-2022)
  • Maya NAIR (2014-2017)
  • Irene PALACIO (2013)

Contact

  • antoni o.tejeda@cnrs.fr
  • Tél. bureau : +33 (0) 1 69 15 47 07
  • Tél. manip : +33 (0) 1 69 15 60 78 / 80 09
  • Adresse postale : Université Paris-Saclay, Campus Univ. d’Orsay Bât. 510, 91400 Orsay, France
  • Comment arriver au laboratoire Et là-bas : 3ème étage, aile ouest, bureau 310